Applications

This bulletin deals with the automated determination of mixtures of HNO3, HF and H2SiF6 in the range of approximately 200-600 g/L HNO3, 50-160 g/L HF, and 0-185 g/L H2SiF6 using thermometric titration.Etch acid mixtures containing HNO3, HF and H2SiF6 from the etching of silicon substrates can be analyzed in a sequence of two determinations using the 859 Titrotherm. The first determination involves a direct titration with standard c(NaOH) = 2 mol/L, followed by a back titration with c(HCl) = 2 mol/L. This determination yields the H2SiF6 content plus a value for the combined (HNO3+HF) contents. The second determination consists of a titration with c(Al3+) = 0.5 mol/L to determine the HF content. For freshly made up mixtures of HNO3 and HF containing no H2SiF6, a linked two-titration sequence is employed. Results from the two determinations are used by tiamoTM to yield individual results for HNO3, HF and H2SiF6.

This Application Note presents the Mott-Schottky measurement, an extension of electrochemical impedance spectroscopy (EIS), on a popular semiconducting material.

Détermination automatisée des teneurs en H 2SiF 6 et HF de l’acide hexafluorosilicique de qualité industrielle.

Détermination de fluorure dans des solutions industrielles comme les mélanges acides pour décapage.

Détermination de la concentration totale en acide des mélanges d’acide nitrique et d’acide fluorhydrique destinés au décapage de substrats de silicium.

Deux séquences séparées de titrage sont nécessaires pour analyser le mélange :- titrage de la teneur en HF avec Al(NO 3) 3 (réaction « elpasolite ) - titrage de H 2SO 4 avec BaCl 2 suivi d’un titrage avec du NaOH pour déterminer la teneur en « acides totauxLes teneurs en HF, H 2SO 4 et en « acides totaux » sont converties en un équivalent HNO 3 avec la teneur en HNO 3 obtenue par soustraction de HF et H 2SO 4 de la teneur en « acides totaux ».

Après avoir ajouté de la soude caustique, l'acide hexafluorosilicique peut être déterminé par titrage inverse de l'excédent d'hydroxyde avec de l'acide chlorhydrique. L'acide fluorhydrique est déterminé par précipité avec de l'aluminium en présence d'ions sodium et potassium. L'acide nitrique est déterminé par soustraction des concentrations d'équivalence en acides hexafluorosilicique et fluorhydrique de la concentration totale en acide.

Une cellule solaire ou photovoltaïque convertit l’énergie lumineuse en énergie électrique. Les cellules solaires à pigment photosensible (en anglais, dye-sensitized solar cells ou DSC) font actuellement l’objet de recherches approfondies dans le contexte des énergies renouvelables en tant que système photovoltaïque (PV) à faible coût. Pour générer de l'électricité, un système photovoltaïque ne produit aucune émission, est modulaire et peut produire de l'énergie partout où le soleil brille. La technique de caractérisation standard d'un système PV consiste à déterminer les courbes courant-tension en courant continu sous l'incidence de différentes intensités lumineuses.

Les techniques DC ne fournissent aucune information sur la dynamique interne d'une installation PV. Des informations supplémentaires peuvent pour cette raison être tirées de mesures dépendant du temps et de la fréquence. La spectroscopie d'impédance électrochimique offre de nos jours la possibilité particulière d'analyser le comportement d'un composant ou d'une installation avec différentes intensités de lumière dans la gamme de fréquences sous conditions d'exploitation.

Les cellules solaires à pigments photosensibles (en anglais, dye-sensitized solar cells ou DSC) font actuellement l’objet de recherches approfondies dans le cadre des énergies renouvelables en tant que système photovoltaïque (PV) à faible coût. Pour caractériser les équipements photovoltaïques, il est possible d'utiliser deux autres méthodes ayant recours à la gamme de fréquences et basées sur la modulation de l'intensité lumineuse. Ces deux méthodes sont, d'une part, la spectroscopie de la phototension par modulation de l'intensité lumineuse (IMVS, intensity-modulated photovoltage spectroscopy), laquelle mesure la fonction de transmission entre l'intensité de la lumière modulée et la tension en CA générée, et d'autre part, la spectroscopie du photocourant par modulation de l'intensité lumineuse (IMPS, intensity-modulated photocurrent spectroscopy) qui, elle, mesure la fonction de transmission entre l'intensité de la lumière modulée et le courant en CA généré.Cette Application Note décrit l'utilisation du PGSTAT302N de Metrohm Autolab équipé d'un module FRA32M en association avec le kit Autolab Optical Bench pour la caractérisation des équipements photovoltaïques par IMVS et IMPS.

Cette Application Note montre comment récupérer des informations avec les Metrohm Autolab PGSTAT et le Metrohm Autolab Optical Bench sur le mécanisme et la cinétique de la réaction inverse, réaction secondaire qui limite les performances des cellules solaires à pigment photosensible.

Ce document présente une méthode pour calibrer la lumière des LED du Metrohm Autolab Optical Bench. Cette méthode peut s'appliquer aux LED à longueur d'onde unique. Le calibrage est effectué afin de relier l'intensité lumineuse de la LED au courant du driver de LED. De cette manière, il est possible de corriger les valeurs d'intensité lumineuse en cas de modification de la distance entre la cellule solaire à tester et la LED. Le calibrage permet à l'utilisateur de procéder en outre à des mesures sur des cellules solaires en spécifiant les valeurs d'intensité lumineuse au lieu de celles du courant du driver de LED.

Cette Application Note décrit la méthode pour déterminer la valeur de sensibilité du calibrage des DEL à lumière blanche du Metrohm Autolab Optical Bench.

Détermination de silicate et hexafluorosilicate (par calcul) en utilisant la chromatographie anionique avec détection de la conductivité après suppression chimique (voir AN S-277) suivie d’une détection UV/VIS avec réaction post-colonne. L’hexafluorosilicate est hydrolysé en fluorure et silicate. Les deux concentrations anioniques peuvent être utilisées pour le calcul de la concentration SiF 62-.

Cette Application Note décrit la détermination polarographique du cuivre dans des bains galvaniques utilisés dans la production de cellules photovoltaïques à couche mince à base de di-séléniure de cuivre indium gallium (appelé CIGS). La couche absorbante CIGS est déposée par voie électrolytique sur un substrat revêtu d'une couche de molybdène.La détermination du cuivre est réalisée après dilution de l'échantillon avec de l'acide sulfurique comme électrolyte de base.

Cette Application Note décrit la détermination polarographique de l'indium dans des bains galvaniques utilisés dans la production de cellules photovoltaïques à couche mince à base de di-séléniure de cuivre indium gallium (appelé CIGS). La couche absorbante CIGS est déposée par voie électrolytique sur le substrat revêtu d'une couche de molybdène.La détermination de l'indium est réalisée après dilution de l'échantillon de bain avec de l'acide sulfurique comme électrolyte de base.

Cette Application Note décrit la détermination du gallium dans des bains galvaniques utilisés dans la production de cellules photovoltaïques à couche mince à base de di-séléniure de cuivre indium gallium (appelé CIGS). La couche absorbante CIGS est déposée par voie électrolytique sur un substrat revêtu d'une couche de molybdène.La détermination du gallium par voltampérométrie à redissolution anodique (ASV) est réalisée après dilution de l'échantillon avec de l'acide sulfurique comme électrolyte de base.

Cette Application Note décrit la détermination polarographique du sélénite dans des bains galvaniques utilisés dans la production de cellules photovoltaïques à couche mince à base de di-séléniure de cuivre indium gallium (appelé CIGS). La couche absorbante CIGS est déposée par voie électrolytique sur un substrat revêtu d'une couche de molybdène.La détermination du sélénite est réalisée après dilution de l'échantillon avec de l'acide sulfurique comme électrolyte de base.

Cette Application Note décrit la détermination polarographique du cadmium dans des bains galvaniques utilisés dans la production de cellules photovoltaïques à couche mince à base de di-séléniure de cuivre indium gallium (CIGS) ou de di-séléniure de cuivre indium (CIS). À partir des solutions d'électrolyte, une couche de sulfure de cadmium (CdS) est déposée par bain chimique (CBD, chemical bath deposition) sur la couche absorbante CIGS ou CIS.

Cette Application Note décrit la détermination polarographique du thiocarbamide dans des bains galvaniques utilisés dans la production de cellules photovoltaïques à couche mince à base de di-séléniure de cuivre indium gallium (CIGS) ou de di-séléniure de cuivre indium (CIS). À partir des solutions d'électrolyte, une couche de sulfure de cadmium (CdS) est déposée par bain chimique (CBD, chemical bath deposition) sur la couche absorbante CIGS ou CIS.

Cet article décrit une méthode de chromatographie ionique permettant la détermination simultanée du HF, du HNO3, du H2SO4, d'acides organiques à chaînes courtes, ainsi que du H2SiF6 dans des bains de texturation acides.

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