Applicazioni

Questo bollettino riguarda la determinazione automatizzata di miscele di HNO3, HF e H2SiF6 nell'intervallo di circa 200-600 g/L HNO3, 50-160 g/L HF e 0-185 g/L H2SiF6 utilizzando la titolazione termometrica. Le miscele di acidi di attacco contenenti HNO3, HF e H2SiF6 dall'attacco di substrati di silicio possono essere analizzate in una sequenza di due determinazioni utilizzando il Titrotherm 859. La prima determinazione prevede una titolazione diretta con lo standard c(NaOH) = 2 mol/L, seguita da una titolazione di ritorno con c(HCl) = 2 mol/L. Questa determinazione produce il contenuto di H2SiF6 più un valore per i contenuti combinati (HNO3+HF). La seconda determinazione consiste in una titolazione con c(Al3+) = 0,5 mol/L per determinare il contenuto di HF. Per le miscele di HNO3 e HF appena preparate, prive di H2SiF6, viene utilizzata una sequenza di due titolazioni concatenate. I risultati delle due determinazioni vengono utilizzati da tiamoTM per ottenere risultati individuali per HNO3, HF e H2SiF6.

Questa Application Note presenta la misurazione Mott-Schottky, un'estensione della spettroscopia di impedenza elettrochimica (EIS), su un diffuso materiale semiconduttore.

Determinazione automatizzata del contenuto di H 2SIF 6 e HF di acido esafluorosilicico di grado industriale.

Determinazione di fluoruro nelle soluzioni industriali: come miscele di incisione chimica.

Determinazione della concentrazione totale di acidi in miscele di acido nitrico-fluoridrico inteso per l'incisione di substrati di silicio.

Due sequenze di titolazione separate sono necessari per analizzare la miscela:- titolazione del contenuto di HF con Al(NO 3) 3 (la reazione «elpasolite») - titolazione di H 2SO 4 con BaCl 2 seguita dalla titolazione con NaOH per determinare il contenuto di «acidi totali»HF, H 2SO 4 e i contenuti di «acidi totali» vengono convertiti in un HNO 3 equivalente, con il contenuto HNO 3 trovato sottraendo HF e H 2SO 4 dal contenuto degli «acidi totali».

Dopo l'aggiunta di idrossido di sodio, l'acido fluosilicico può essere determinato per titolazione di ritorno dell'eccesso di idrossido con acido cloridrico. L'acido fluoridrico viene determinato mediante precipitazione con alluminio in presenza di ioni sodio e potassio. L'acido nitrico viene determinato sottraendo le concentrazioni equivalenti di acido esafluorosilicico e fluoridrico dalla concentrazione di acido totale.

Una cella solare o cella fotovoltaica è un dispositivo che converte l'energia della luce in energia elettrica. Al momento le celle di Grätzel (DSC) sono oggetto di molte ricerche nell'ambito delle energie rinnovabili, in quanto dispositivo fotovoltaico (PV) a basso costo. L'elettricità generata da un dispositivo PV non produce emissioni, è modulare ed è in grado di produrre energia dovunque splenda il sole. La tecnica di caratterizzazione standard di un dispositivo PV consiste nella determinazione delle curve corrente-tensione DC a diverse intensità della luce incidente.

Le tecniche DC non forniscono informazioni sulle dinamiche interne di un impianto fotovoltaico. Per questo motivo, ulteriori informazioni possono essere ottenute da misurazioni dipendenti da tempo e frequenza. La spettroscopia di impedenza elettrochimica specificamente fornisce ora l'opportunità di studiare il comportamento di un componente o di un impianto nella gamma di frequenza in condizioni di funzionamento a diverse intensità di luce.

Al momento le celle di Grätzel (DSC) sono oggetto di molte ricerche nell'ambito delle energie rinnovabili, in quanto dispositivo fotovoltaico (PV) a basso costo. Per la caratterizzazione dei dispositivi fotovoltaici, possono essere usati due ulteriori metodi del dominio della frequenza basati sulla modulazione dell'intensità luminosa. Questi due metodi sono la spettroscopia di fototensione a intensità modulata (IMSV, Intensity modulated photovoltage spectroscopy): misura della funzione di trasferimento tra l'intensità della luce modulata e la tensione CA generata e la spettroscopia di fotocorrente a intensità modulata (IMPS, Intensity modulated photocurrent spectroscopy): misura della funzione di trasferimento tra l'intensità della luce modulata e la corrente CA generata.In questa Application Note viene illustrato l'uso di Metrohm Autolab PGSTAT302N con modulo FRA32M, insieme al kit Autolab Optical Bench, per la caratterizzazione mediante IMVS e IMPS dei dispositivi fotovoltaici.

In questa Application Note si mostra come, con Metrohm Autolab PGSTATs e Metrohm Autolab Optical Bench, sia possibile ottenere informazioni su meccanismo e cinetica della back reaction, una reazione parassita che limita le prestazioni delle celle di Grätzel.

In questo documento viene presentata una procedura per calibrare la luce LED del Metrohm Autolab Optical Bench. La procedura può essere applicata alle luci LED a singola lunghezza d'onda. La calibrazione serve per mettere in relazione l'intensità della luce LED alla corrente del driver LED. In questo modo, è possibile correggere i valori dell'intensità della luce quando si modifica la distanza tra cella solare sotto analisi e luce LED. Inoltre, la calibrazione consente all'utente di eseguire misure sulle celle solari specificando al contempo i valori dell'intensità della luce, anziché della corrente del driver LED.

Questa Application Note presenta la procedura per determinare il valore di responsività per la calibrazione delle luci bianche del Metrohm Autolab Optical Bench.

Determinazione di silicati ed esafluorosilicati (calcolati) mediante cromatografia anionica con rilevamento della conducibilità dopo soppressione chimica (vedi AN S-277) e successiva rilevazione UV/VIS con reazione della postcolonna. L'esafluorosilicato è idrolizzato in fluoride e silicato. Entrambe le concentrazioni anioniche possono essere utilizzate per il calcolo della concentrazione del SiF 62-.

Questa Application Note descrive la determinazione polarografica del rame in bagni galvanici, impiegati nella produzione di celle solari a film sottili in rame-indio-gallio-diselenide (le cosiddette celle CIGS). Lo strato assorbente delle CIGS viene depositato elettroliticamente su un substrato rivestito con molibdeno.La determinazione del rame avviene dopo la diluizione del campione con acido solforico come elettrolita di supporto.

Questa Application Note descrive la determinazione polarografica dell'indio in bagni galvanici, impiegati nella produzione di celle solari a film sottili in rame-indio-gallio-diselenide (le cosiddette celle CIGS). Lo strato assorbente delle CIGS viene depositato elettroliticamente su un substrato rivestito con molibdeno.La determinazione dell'indio avviene dopo la diluizione del campione del bagno con acido solforico come elettrolita di supporto.

Questa Application Note descrive la determinazione polarografica del gallio in bagni galvanici, impiegati nella produzione di celle solari a film sottili in rame-indio-gallio-diselenide (le cosiddette celle CIGS). Lo strato assorbente delle CIGS viene depositato elettroliticamente su un substrato rivestito con molibdeno.La determinazione del gallio tramite voltammetria di stripping anodico (ASV) avviene dopo la diluizione del campione con acido solforico come elettrolita di supporto.

Questa Application Note descrive la determinazione polarografica del selenide in bagni galvanici, impiegati nella produzione di celle solari a film sottili in rame-indio-gallio-diselenide (le cosiddette celle CIGS). Lo strato assorbente delle CIGS viene depositato elettroliticamente su un substrato rivestito con molibdeno.La determinazione del selenide avviene dopo la diluizione del campione con acido solforico come elettrolita di supporto.

Questa Application Note descrive la determinazione polarografica del cadmio in bagni galvanici, impiegati nella produzione di celle solari a film sottili in rame-indio-gallio-diselenide (le cosiddette celle CIGS) o rame-indio-diselenide (CIS). Dalle soluzioni elettrolitiche, tramite una deposizione chimica del bagno (chemical bath deposition, CBD) viene depositato uno strato di solfuro di cadmio (CdS) sullo strato assorbente delle CIGS o CIS.

Questa Application Note descrive la determinazione polarografica della tiourea in bagni galvanici, impiegati nella produzione di celle solari a film sottili in rame-indio-gallio-diselenide (le cosiddette celle CIGS) o rame-indio-diselenide (CIS). Dalle soluzioni elettrolitiche, tramite una deposizione chimica del bagno (chemical bath deposition, CBD) viene depositato uno strato di solfuro di cadmio (CdS) sullo strato assorbente delle CIGS o CIS.

Questo articolo descrive un metodo ionocromatografico per la determinazione simultanea di HF, HNO3, H2SO4, acidi organici a catena corta, nonché di H2SiF6 nei bagni acidi di testurizzazione.

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